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I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
Output Source Current
Output Sink Current
IXD_630
-36
vs. Temperature
(V CC =18V, C LOAD =1 μ F)
36
vs. Temperature
(V CC =18V, C LOAD =1 μ F)
0.22
Hi g h-State Output Resistance
vs. Supply Volta g e
-34
34
0.20
-32
-30
32
0.1 8
0.16
R OH @ -100mA
30
-2 8
0.14
-26
-24
2 8
26
0.12
0.10
-50 -30 -10
10 30 50 70
90
110 130
-50 -30 -10
10 30 50 70
90
110 130
5
10
15 20 25
30
35
Temperature (oC)
Low-State Output Resistance
Temperature (oC)
Under Volta g e Lockout Threshold
Supply Volta g e (V)
Under-Volta g e Lockout Threshold
0.22
vs. Supply Volta g e
9.0
vs. Temperature - IXD_630M
13.0
vs. Temperature - IXD_630
0.20
V CC Rising
12.5
0.1 8
0.16
0.14
8 .5
8 .0
V CC Falling
12.0
11.5
11.0
V CC Rising
0.12
0.10
R OL @ +100mA
7.5
7.0
10.5
10.0
V CC Falling
5
10
15 20 25
30
35
-50 -30 -10
10 30 50 70
90
110 130
-50 -30 -10
10 30 50 70
90
110 130
R03
Supply Volta g e (V)
Temperature (oC)
www.ixysic.com
Temperature (oC)
9
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IXDP20N60BD1 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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